Probenhalter für Dünnschicht und MEMS

Vom einfachen Kontaktierplatz bis hin zum innovativen „4-point bending sample holder“: Dünnschichten und MEMS charakterisieren Sie zuverlässig und schnell durch die Verwendung des passenden Probenhalters.

Von einfach bis innovativ

Ob Sie nun Strukturen mit Durchmessern von weniger als 50 µm kontaktieren, hochspannungs- und/oder temperaturabhängige Messungen an Dünnschichten vornehmen oder den inversen e31 ,f -Koeffizienten nach der Kano/Muralt-Methode bestimmen möchten, unser Portfolio an Probenhaltern für Dünnschichten und MEMS passt perfekt zu Ihren Anforderungen. Überzeugen Sie sich selbst.

  • Unser Basissystem für die Charakterisierung von Dünnschichten ist der einfache Kontaktierplatz.

    Es besteht aus einer Acrylplatte mit Magnetsockel zur Nutzung mit einem von aixACCT entwickelten Messspitzenhalter. Als Zusatzausstattung ist eine hochauflösende Mikroskopkamera verfügbar. Damit lassen sich Strukturen mit einem Durchmesser von weniger als 50 µm kontaktieren.

    Dank optionaler Abdeckung mit Interlock-System besteht die Möglichkeit, auch einen HV Verstärker zu verwenden. Die maximale Probengröße beträgt 8 Zoll.

    Features
    Einfache Bedienung
    Für Probengrößen bis 8 Zoll
    Bis zu vier Positionierer für 4-Punkt-Messung mit RS-Modul
    Optional hochauflösende Mikroskopkamera
    Hochspannungsoption mit Interlock-System

    Einfache Bedienung

      Für Probengrößen bis 8 Zoll

        Bis zu vier Positionierer für 4-Punkt-Messung mit RS-Modul

          Optional hochauflösende Mikroskopkamera

            Hochspannungsoption mit Interlock-System

            • Der Probenhalter TFSHU für die elektrische Prüfung ermöglicht Ihnen hochspannungs- und/oder temperaturabhängige Messungen an Dünnschicht-Proben.

              Sie sind unerlässlich für die Entwicklung von Aktor- oder Sensormaterialien. Die Heizeinheit ist in den Probenhalter integriert, so dass keine zusätzliche Temperaturkammer erforderlich ist.

              Features
              Probenoberfläche muss für die Messung von MEMS-Bauteilen poliert werden
              Spezieller Adapter zur Messung des indirekten e31-Koeffizienten an gesägten Proben
              Interlock-Schutzschaltung
              Probenkontaktierung durch zwei Positionierer

              Probenoberfläche muss für die Messung von MEMS-Bauteilen poliert werden

                Spezieller Adapter zur Messung des indirekten e31-Koeffizienten an gesägten Proben

                  Interlock-Schutzschaltung

                    Probenkontaktierung durch zwei Positionierer

                      Spezifikationen
                      Temperaturmax. 250°C (Temperaturmessung auf der Probe)
                      Probendicke0,1–10 mm
                      Probendurchmessermax. 25 x 25 mm² (1” x 1”)
                      Spannungmax. 400 V

                      Temperatur

                      • max. 250°C (Temperaturmessung auf der Probe)

                      Probendicke

                      • 0,1–10 mm

                      Probendurchmesser

                      • max. 25 x 25 mm² (1” x 1”)

                      Spannung

                      • max. 400 V

                      Zusätzlich kann ein Laser zur Messung von MEMS Strukturen durch ein Positioniersystem erweitert werden. In Kombination mit einem verbesserten Kamerasystem können Sie auch kleine Strukturen gezielt einrichten. Mit einer optional erhältlichen Probenhalterung lässt sich auch der inverse e31,f-Koeffizient nach der Kano/Muralt-Methode bestimmen.

                      Optional kann der Temperaturbereich auf bis zu 500 °C und/oder -100°C erweitetert werden. Das ermöglicht Ihnen eine umfassende Charakterisierung von ferroelektrischen Hochtemperaturmaterialien

                    • Der „4-point bending sample holder“ lässt Sie die innovative Kraft von aixACCT Systems erleben: Sein Aufbau ermöglicht die Erzeugung homogener und definierter mechanischer Spannungen in der Dünnschicht.

                      Das garantiert Ihnen die präzise Ermittlung des piezoelektrischen Koeffizienten e31,f  bei definierten Randbedingungen. Auch ein elektrisches Polen der Probe mit intermittierender Messung des e31,fKoeffizienten ist möglich. Das ist hilfreich, wenn Sie den Einfluss unterschiedlicher Poling-Bedingungen auf die Performance der Proben untersuchen möchten.

                      Die neue integrierte Verstärker- und Umschalteinheit erlaubt Ihnen darüber hinaus, Untersuchungen zur Ermüdung mit intermittierenden Messungen des Koeffizienten e31,f durchzuführen, DC Spannungsabhängigkeiten zu untersuchen und sogar h31 Messungen durchzuführen. Zusätzlich ermöglicht die Temperaturoption die Durchführung temperaturabhängiger Messungen.

                       

                       

                      Features
                      4-Punkt-Biegeprobenhalter mit Piezoaktor für die Krafterzeugung
                      Befestigung für Lasersystem
                      Einfaches Kontaktieren Top- und Bottom- Elektrode
                      Automatisiertes Umschalten zwischen e31-Messung und Poling
                      Messung von elektrischer und mechanischer Ermüdung
                      Spezielle Probengeometrie erforderlich
                      Spezielles Positionierungswerkzeug für eine einfach zu bedienende und präzise Probenausrichtung

                      4-Punkt-Biegeprobenhalter mit Piezoaktor für die Krafterzeugung

                        Befestigung für Lasersystem

                          Einfaches Kontaktieren Top- und Bottom- Elektrode

                            Automatisiertes Umschalten zwischen e31-Messung und Poling

                              Messung von elektrischer und mechanischer Ermüdung

                                Spezielle Probengeometrie erforderlich

                                  Spezielles Positionierungswerkzeug für eine einfach zu bedienende und präzise Probenausrichtung

                                    Spezifikationen
                                    Temperaturbereich:Raumtemperatur bis max. 200 °C
                                    Frequenzbereichab 10 mHz
                                    Spannungmax. 400 V (für Poling)

                                    Temperaturbereich:

                                    • Raumtemperatur bis max. 200 °C

                                    Frequenzbereich

                                    • ab 10 mHz

                                    Spannung

                                    • max. 400 V (für Poling)

                                  Weitere Features und Details finden Sie in unseren Produktinformationen: